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Electronic devices and circuit theory = 模拟电子技术 (第二版) (英文版)PDF电子书下载

外文

• 作 者：Robert L. Boylestad ; Louis Nashelsky ; Lihua Li
• 出 版 社：Publishing House of Electronics Industry
• 出版年份：2016
• ISBN：7121289156
• 页数：596 页

图书介绍：本书包括半导体器件基础、二极管及其应用电路、晶体管和场效应管放大电路的基本原理及频率响应、功率放大电路、多级放大电路、差分放大电路、电流源等模拟集成电路的单元电路、反馈电路、模拟集成运算放大器、电压比较器和波形变换电路等。本书对原版教材进行了改编，精简了内容，突出了重点，补充了必要知识点，内容更加新颖和系统化，反映了器件和应用的发展趋势，强调了系统工程的概念。 查看图书目录点击购买PDF全本电子书 上一篇：CLINICAL LABORATORY METHODS FOURTH EDITION下一篇：FEDERAL ANTITRUST POLICY THE LAW OF COMPETITION AND ITS PRACTICE FOURTH EDITION 《Electronic devices and circuit theory = 模拟电子技术 (第二版) (英文版)》目录 标签：英文版 电子技术 电子 技术

Chapter 1 Semiconductor Diodes1

1.1 Introduction1

1.2 Semiconductor Materials：Ge，Si，and GaAs2

1.3 Covalent Bonding and Intrinsic Materials3

1.4 Extrinsic Materials：n-Type andp-Type Materials6

1.5 Semiconductor Diode8

1.6 Ideal Versus Practical20

1.7 Resistance Levels21

1.8 Diode Equivalent Circuits&28

1.9 Transition and Diffusion Capacitance31

1.10 Reverse Recovery Time33

1.11 Diode Specification Sheets33

1.12 Semiconductor Diode Notation37

1.13Zener Diodes38

1.14 Light-Emitting Diodes42

1.15 Summary50

1.16 Computer Analysis51

Problems58

Chapter 2 Diode Applications62

2.1 Introduction62

2.2 Load-Line Analysis63

2.3 Equivalent Model Analysis68

2.4 AND/OR Gates72

2.5 Sinusoidal Inputs； Half-Wave Rectification74

2.6 Full-Wave Rectification78

2.7 Clippers82

2.8 Clampers90

2.9 Zener Diodes95

2.10 Summary103

Problems104

Chapter 3 Bipolar Junction Transistors113

3.1 Introduction113

3.2 Transistor Construction114

3.3 Transistor Operation115

3.4 Common-Base Configuration116

3.5 Transistor Amplifying Action121

3.6 Common-Emitter Configuration122

3.7 Common-Collector Configuration130

3.8 Limits of Operation131

3.9 Transistor Specification Sheet133

3.10 Transistor Casing and Terminal Identification137

3.11 Summary139

Problems140

Chapter 4 DC Biasing—BJTs143

4.1 Introduction143

4.2 Operating Point144

4.3 Fixed-Bias Circuit146

4.4 Emitter Bias154

4.5 Voltage-Divider Bias159

4.6 DC Bias with Voltage Feedback167

4.7 Miscellaneous Bias Configurations171

4.8 Transistor Switching Networks177

4.9 pnp Transistors182

4.10 Bias Stabilization184

4.11 Summary186

Problems188

Chapter 5 BJT AC Analysis197

5.1 Introduction197

5.2 Amplification in the AC Domain198

5.3 BJT Transistor Modeling199

5.4 The re Transistor Model201

5.5 The Hybrid Equivalent Model208

5.6 Hybrid π Model215

5.7 Variations of Transistor Parameters216

5.8 Common-Emitter Fixed-Bias Configuration219

5.9 Voltage-Divider Bias222

5.10 CE Emitter-Bias Configuration225

5.11 Emitter-Follower Configuration231

5.12 Common-Base Configuration236

5.13 Collector Feedback Configuration238

5.14 Collector DC Feedback Configuration243

5.15 Determining the Current Gain246

5.16 Effect of RL and RS248

5.17 Two-Port Systems Approach253

5.18 Summary Table259

5.19 Cascaded Systems262

5.20 Darlington Connection267

5.21 Feedback Pair273

5.22 Current Mirror Circuits276

5.23 Current Source Circuits279

5.24 Approximate Hybrid Equivalent Circuit281

5.25 Summary287

Problems290

Chapter 6 Field-Effect Transistors308

6.1 Introduction308

6.2 Construction and Characteristics of JFETs310

6.3 Transfer Characteristics317

6.4 Specification Sheets （JFETs）321

6.5 Important Relationships324

6.6 Depletion-Type MOSFET325

6.7 Enhancement-Type MOSFET332

6.8 CMOS340

6.9 Summary Table342

6.10 Summary343

Problems344

Chapter 7 FET Biasing349

7.1 Introduction349

7.2 Fixed-Bias Configuration350

7.3 Self-Bias Configuration354

7.4 Voltage-Divider Biasing360

7.5 Depletion-Type MOSFETs366

7.6 Enhancement-Type MOSFETs371

7.7 Summary Table377

7.8 Combination Networks377

7.9 p-Channel Fets381

7.10 Summary384

Problems385

Chapter 8 FET Amplifiers392

8.1 Introduction392

8.2 FET Small-Signal Model393

8.3 JFET Fixed-Bias Configuration401

8.4 JFET Self-Bias Configuration403

8.5 JFET Voltage-Divider Configuration409

8.6 JFET Source-Follower（Common-Drain） Configuration410

8.7 JFET Common-Gate Configuration413

8.8 Depletion-Type MOSFETs417

8.9 Enhancement-Type MOSFETs419

8.10 E-MOSFET Drain-Feedback Configuration419

8.11 E-MOSFET Voltage-Divider Configuration423

8.12 Summary Table424

8.13 Effect of RL and Rsg427

8.14 Cascade Configuration431

8.15 Summary433

Problems434

Chapter 9 BJT and FET Frequency Response443

9.1 Introduction443

9.2 General Frequency Considerations443

9.3 Low-Frequency Analysis—Bode Plot446

9.4 Low-Frequency Response—BJT Amplifier452

9.5 Low-Frequency Response—FET Amplifier457

9.6 Miller Effect Capacitance460

9.7 High-Frequency Response—BJT Amplifier463

9.8 High-Frequency Response—FET Amplifier470

9.9 Multistage Frequency Effects472

9.10 Summary474

Problems476

Chapter 10 Operational Amplifiers481

10.1 Introduction481

10.2 Differential Amplifier Circuit483

10.3 Differential and Common-Mode Operation493

10.4 BIFET，BIMOS，and CMOS Differential Amplifier Circuits497

10.5 Op-Amp Basics500

10.6 Op-Amp Specifications — DC Offset Parameters506

10.7 Op-Amp Specifications — Frequency Parameters510

10.8 Op-Amp Unit Specifications513

10.9 Summary519

Problems520

Chapter 11 Op-Amp Applications524

11.1 Operation Circuits524

11.2 Active Filters529

11.3 Comparator Unit Operation533

11.4 Schmitt Trigger538

11.5 Summary541

Problems542

Chapter 12 Power Amplifiers548

12.1 Introduction — Definitions and Amplifier Types548

12.2 Series-Fed Class A Amplifier550

12.3 Transformer-Coupled Class A Amplifier555

12.4 Class B Amplifier Operation562

12.5 Class B Amplifier Circuits567

12.6 Class C and Class D Amplifiers573

12.7 Summary575

Problems577

Chapter 13 Feedback Circuits579

13.1 Feedback Concepts579

13.2 Feedback Connection Types580

13.3 Practical Feedback Circuits587

13.4 Feedback Amplifier—Phase and Frequency Considerations593

13.5 Summary596

Problems596

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