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Compound Semiconductors Physics Technology and Device Concepts

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外文

  • 作 者:Ferdinand Scholz
  • 出 版 社:Pan Stanford
  • 出版年份:2017
  • ISBN:9814774079
  • 页数:294 页

图书介绍: 查看图书目录点击购买PDF全本电子书 上一篇:Knowing the score下一篇:Video communication and production 《Compound Semiconductors Physics Technology and Device Concepts》目录 标签: 相关图书

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    • 《维瓦尔第A小调小提琴协奏曲 为小提琴独奏、弦乐队与数字低音而作 《和谐的灵感》作品3号之六 RV356 小提琴与钢琴谱》(意)安东尼奥·维瓦尔第(Antonio Vivaldi)曲;费迪南德·屈希勒尔(Ferdinand Kuchler)小提琴编订;保罗·克伦格尔(Paul Klengel)钢琴缩编 2005
    • 《地震与断层力学》Christopher H.Scholz着;卢佳遇译 2004
    • 《真该早些惹怒你 关于科学、科学家和人性的随笔》(英)马克斯·F.佩鲁茨(Max Ferdinand Perutz)着;张春美译 2004
    • 《工程矢量力学 静力学 原书第3版》(美)费迪南德 P. 比尔(Ferdinand P.Beer),(美)E. 罗素 约翰斯顿 Jr.(E. Russell Johnston Jr.)等编着;李俊峰等译 2003
    • 《地球科学中的分形研究》(美)肖尔茨(Scholz,C.H.)等着;刘祖荫等译 1991
    • 《工程矢量力学 动力学》(美)费迪南德·P.比尔(Ferdinand P.Beer),(美)E.罗素约翰斯顿 Jr.(E.Russell Johnston Jr.)等编着;李俊峰等译 2003
    • 《TRUTHS AND HALF TRUTHS:CHINA’S SOCIO-ECONOMIC REFORMS(1978-2010)》FERDINAND A.GUL 2011
    • 《MECHANICS OF MATERIALS THIRD EDITION》FERDINAND P.BEER 2001
    • 《VECTOR MECHANICS FOR ENGINEERS DYNAMICS THIRD EDITION》FERDINAND P.BEER E.RUSSELL JOHNSTON 1977

    出版社其它书籍

    • 《FCONOMICS:STANFORD UNIVERSITY SECOND EDITION》JOSEPH E. STIGLITZ 1997
    • 《SIGCOMM’88 SYMPSIUM Communications Architectures & Protocols Stanford》the Association for Computing Machinery 1988
    • 《Berek&Novak妇科学 第14版》Jonathan S. Berdk原着 2008
    • 《计算机图形学的算法基础 英文版》(美)David F.Rogers着 2002
    • 《随机算法》(美)Rajeev Motwani,(美)Prabhakar Raghavan着,孙广中,黄宇,李世胜译 2008
    • 《微系统设计》(美)Stephen D. Senturia着;刘泽文等译 2004
    • 《镀金城市 世纪之交纽约城的丑闻与轰动事件 scandal and sensation in turn-of -the-century New York》(美)M. H. 邓洛普着;刘筠,顾笑言译 2006

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    摘要:本文以“Compound Semiconductors Physics Technology and Device Concepts.pdf电子书版文档下载”为中心,从物理基础、技术进展、器件概念和实际应用四个方面对复合半导体进行了全面而深入的探讨。通过对该文档的详细分析,旨在为读者提供一个关于复合半导体的全面了解,以促进相关领域的研究与发展。

    1、物理基础

    复合半导体的物理基础是其研究和应用的基础。文档详细介绍了复合半导体的基本物理性质,如能带结构、载流子输运机制、复合半导体的能带工程等。这些基本概念对于理解和设计新型复合半导体器件具有重要意义。

    在能带结构方面,文档深入分析了复合半导体的能带结构特点,包括能带间隙、能带弯曲等。这些特点决定了复合半导体的电子和空穴的输运特性,对器件性能有着直接的影响。

    载流子输运机制是复合半导体的另一个重要物理基础。文档详细讨论了载流子在复合半导体中的输运过程,包括扩散、漂移和复合等。通过对这些输运机制的研究,有助于优化复合半导体的器件性能。

    2、技术进展

    随着科技的不断发展,复合半导体的制备技术也在不断进步。文档详细介绍了复合半导体的制备方法,如分子束外延、化学气相沉积等。这些技术为复合半导体的制备提供了多种选择,有助于满足不同应用场景的需求。

    在分子束外延技术方面,文档详细介绍了其原理、工艺流程和优缺点。这种技术能够制备出高质量的复合半导体薄膜,对于高性能器件的制备具有重要意义。

    化学气相沉积技术也是一种重要的复合半导体制备方法。文档详细分析了其原理、工艺流程和适用范围,为复合半导体的制备提供了更多的可能性。

    3、器件概念

    复合半导体的器件概念是其应用的关键。文档详细介绍了复合半导体的器件类型,如光电器件、功率器件等。这些器件在光电子、微电子等领域具有广泛的应用前景。

    在光电器件方面,文档介绍了复合半导体的发光二极管、太阳能电池等器件。这些器件在光电子领域具有重要作用,如照明、显示和能源转换等。

    功率器件是复合半导体在微电子领域的应用之一。文档详细讨论了复合半导体的功率器件,如MOSFET、IGBT等。这些器件在电力电子领域具有广泛应用,如变频器、逆变器等。

    4、实际应用

    复合半导体的实际应用是其研究和发展的最终目标。文档详细介绍了复合半导体在光电子、微电子、能源等领域的重要应用。

    在光电子领域,复合半导体器件如LED、激光器等在照明、显示和通信等领域具有广泛应用。文档分析了这些器件的性能特点和应用前景。

    在微电子领域,复合半导体器件如MOSFET、IGBT等在电力电子、消费电子等领域具有广泛应用。文档讨论了这些器件的性能优化和应用挑战。

    总结:

    本文从物理基础、技术进展、器件概念和实际应用四个方面对“Compound Semiconductors Physics Technology and Device Concepts.pdf电子书版文档下载”进行了详细阐述。通过对该文档的深入分析,有助于读者全面了解复合半导体,为相关领域的研究与发展提供有益的参考。

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